Avezzano. Hanno testa e cuore nel team di progettazione avanzata di Avezzano e Padova le nuove memorie Flash 3D annunciate nei giorni scorsi da Micron Technology, Inc. ed Intel Corporation. I nuovi dispositivi di memoria Flash NAND 3D hanno la più elevata densità mai realizzata sino ad oggi e sono stati sviluppati con il contributo fondamentale dei gruppi italiani di Micron.
Il team basato nei centri Micron di Avezzano e Padova ha guidato e realizzato una parte importante del design dei nuovi dispositivi, all’interno di un grande gruppo multidisciplinare di tecnologi e progettisti basati nelle sedi Micron e Intel di tutto il mondo.
“Il team di Avezzano e Padova di Micron ha contribuito in modo sostanziale a questo progetto. Abbiamo messo in gioco tutte le nostre competenze tecniche e manageriali, lavorando in sinergia con gruppi di progettazione e sviluppo tecnologico basati in diverse aree del mondo, soprattutto negli Stati Uniti e in Asia”, ha affermato Tommaso Vali, Director of Flash Memory Design di Micron in Europa. “Ci siamo messi davvero in gioco, raccogliendo la sfida di un progetto unico al mondo e superando l’inevitabile complessità del contesto globale. Abbiamo lavorato insieme a gruppi fisicamente molto distanti da noi, in remoto, in fusi orari diversi, organizzando il lavoro per rispettare le scadenze del progetto”. “Il risultato che Micron e Intel hanno ottenuto grazie al contributo del team di Avezzano e Padova sottolinea ancora una volta la grande opportunità di aumentare la vocazione all’innovazione del territorio valorizzando le eccellenze esistenti, quali quella del nostro centro progettazione di memorie Flash”, ha commentato Raimondo Castellucci, Senior Director of General Administration di Micron Semiconductor Italia. “Siamo orgogliosi di ospitare ad Avezzano un centro di assoluta eccellenza, di importanza strategica per la Micron”, ha aggiunto Claudio Mari, Site Manager di Micron Semiconductor Italia ad Avezzano. “Il Centro di progettazione NAND di Avezzano e Padova è un valido testimone della presenza nel nostro territorio di una forte cultura dell’innovazione”. I leader tecnici del team di Avezzano hanno espresso grande soddisfazione per la piena riuscita di un progetto così complesso. “La sfida maggiore è stata nel progettare una memoria totalmente rivoluzionaria rispetto al passato. La disposizione su più piani verticali della memoria è una grande opportunità ma ha richiesto un controllo ferreo della complessità che ne è derivata”, ha detto Michele incarnati, Memory Design Manager. Violante Moschiano, Memory Core 
Architecture Manager, ha colto così l’essenza del progetto: “Disegnare questa memoria ha richiesto una ottima conoscenza della fisica dei semiconduttori ma anche una buona dose di creatività “Made in Italy”. Questo mix ha generato le giuste soluzioni”. “Per assicurare alla memoria la corretta funzionalita’ abbiamo dovuto integrare in qualche millimetro quadrato la capacità di calcolo quasi uguale a quella di un personal computer”, ha concluso Luca De Santis: Digital Design Manager. I nuovi dispositivi annunciati da Micron e Intel avranno una capacità tre volte superiore a quella delle memorie, sfruttano la dimensione verticale, e rispetto ai dispositivi tradizionali potranno immagazzinare quantità molto elevate di informazioni. La nuova tecnologia consentirà a sua volta lo sviluppo di nuove applicazioni: ad esempio, SSD che nell’attuale formato da 2,5″ ospiteranno 10 Terabyte di dati. Inoltre, le memorie 3D NAND di Micron e Intel sono realizzate in modo tale da abbattere i costi di produzione ed i consumi elettrici, rendendo possibile, e sostenibile, la concezione di nuove applicazioni che avranno a disposizione grandi capacità di memoria. I nuovi componenti di memoria saranno in produzione entro il quarto trimestre di quest’anno. Micron e Intel stanno sviluppando le proprie soluzioni SSD basate sulla tecnologia 3D NAND, e stimano che saranno disponibili entro il prossimo anno. Il team è composto da: Tommaso Vali, NVE Europe Design Director
Claudio Mari, Site Manager
Luca De Santis, Michele Incarnati, Cristina Lattaro, Agostino Macerola, Giulio G. Marotta, Violante Moschiano, Giovanni Naso, Giovanni Santin, Berardino Tronca.
