Avezzano. Il dispositivo NAND da 20nm realizzato congiuntamente da Micron e Intel è stato nominato come prodotto dell’anno nel decimo Annual Insight Awards presentato da UBM TechInsights. I premi Insight Awards riconoscono i risultati conseguiti nel settore dei semiconduttori e dell’elettronica e sono tra i premi più stimati a livello mondiale per l’innovazione tecnica. Il dispositivo Flash NAND da 20nm con tecnologia di processo all’avanguardia fornisce una struttura di piccole dimensioni e ad alta densità per la memorizzazione di musica, video, e-book ed altri dati su smartphone, tablet e soluzioni informatiche, quali le unità a stato solido
(SSD). Il raggiungimento di tale traguardo di prestigio internazionale ha visto la decisiva collaborazione dei centri di progettazione della Micron (design center) situati ad Avezzano e Padova, guidati da Tommaso Vali che rappresentano punti di eccellenza nello sviluppo di sofisticate soluzioni all’avanguardia per le memorie NAND Flash. In relazione a tale progetto, il team di progettisti italiani ha saputo dimostrare la capacità di lavorare con professionalità sulla continua evoluzione delle architetture Nand. Durante il processo di valutazione UBM TechInsights ha fatto un’analisi approfondita sulle memorie NAND Flash da 20nm delle differenti compagnie, includendo un esame approfondito del dispositivo e della sua tecnologia di processo, oltre alla configurazione della cella di memoria e dei materiali.
